半導體分力器件測試儀 型號:VV522-CS2935

半導體分力器件測試儀 型號:VV522-CS2935

一、產(chǎn)品特點：
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。測試儀由計算機操控，測試數(shù)據(jù)可存儲打印。除具有點測試功能外，還具有曲線掃描功能（圖示儀功能）。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定、硬件故障率低，在實際測試應用中各項技術(shù)指標均可達到器件手冊技術(shù)指標及國標要求。

半導體分力器件測試儀 型號:VV522-CS2935

二、測試參數(shù)
1． 二極管
VF、IR、BVR
2． 穩(wěn)壓（齊納）二極管
VF、IR、BV Z
3． 晶體管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶閘管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 場效應管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光電耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端穩(wěn)壓器
VO、SV、ID、IDV
被測器件圖形
三、測試參數(shù)范圍
晶體管
測試參數(shù)
測試范圍
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1－99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0. 10V-50V
50V-1499V
二極管
測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
穩(wěn)壓二極管
測試參數(shù)
測試范圍
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端穩(wěn)壓器